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存储芯片价格大幅上涨导致手机和PC厂商成本激增、出货下滑，宏碁董事长陈俊圣公开质疑三星、SK海力士、美光三巨头操控价格；长鑫科技G5平台量产打破海外垄断，国产存储加速替代；AI需求挤压消费级产能，涨价周期分化，DRAM紧张持续，NAND或于明年下半年拐点。
高盛重申对SK海力士买入评级，目标价350万韩元，看好HBM和DRAM供应持续紧张推动2026-2027年定价与利润率上行；LTA覆盖超50%增强需求能见度与盈利稳定性；技术迁移聚焦HBM产能，洁净室限制制约扩产，支撑价格高位运行。
摩根士丹利研报指出，企业硬件支出第二季度全面走强，传统服务器收入同比增87%，存储增34%且处于上升周期早期，PC增长14%但已快速恶化；报告强调存储是跑道最长方向，偏好P和SNX，对戴尔中性、HPQ减持，并警示服务器高利润率或难持续。
长鑫存储宣布第五代DRAM（G5）平台量产，采用DUV多重曝光工艺实现约1c节点等效制程，在EUV缺席下突破技术瓶颈；重点提升晶圆裸片数与LPDDR性能，已进入小米、努比亚等旗舰手机供应链，但HBM等高端领域仍落后；核心挑战在于良率爬坡、成本收敛及从通用存储补位者向算力时代参与者跃迁。
高盛重申对三星电子的买入评级，目标价49万韩元，主要基于存储芯片供需持续紧张至2027年，HBM产能扩张挤占传统DRAM供给，长期供货协议提升收入可预测性，叠加垂直整合优势缓解手机业务成本压力。
DRAM内存供应紧张导致价格飙升，AI行业从算力受限转向内存受限，谷歌等大厂被迫拆解退役服务器回收DDR4内存以缓解成本压力和供应链风险，并通过硬件转接、软件优化及自研TPU（如TPU8i）提升内存利用效率。
长鑫科技于2026年实现全球首发LPDDR6内存量产，首次与三星、SK海力士等国际巨头同步推出新一代DRAM产品，打破其长期技术先发垄断；公司登陆科创板后市值登顶A股，半年报营收与利润大幅增长，全球DRAM市场份额升至10%，标志着中国半导体在高端存储领域迈过关键临界点，加速实现自主可控。
摩根士丹利研报指出，全球云厂商资本开支增速将放缓至约12%，但AI半导体仍保持高增长，2028年2.5D先进封装产能预计同比增长50%；AI半导体占半导体市场比重将持续提升，2030年或达7530亿美元；增长逻辑正从单纯增加GPU采购转向单机价值量提升及ASIC、先进制程、先进封装、HBM等环节扩散；中国AI需求上升，但DRAM和HBM产能仍是关键瓶颈。
长鑫存储2026年二季度息税前利润率达82%，位居全球DRAM厂商首位，半年净利润776亿元，实现从亏损到高盈利的跃升。其利润暴增源于DRAM价格上涨、规模效应提升及产品结构向DDR5/LPDDR5X升级。公司已跻身全球DRAM市场份额第四，但面临HBM技术、全球客户认证及周期波动等挑战。
长鑫科技在2024年4–6月营业利润率高达82%，位居全球主要存储芯片企业首位，远超三星、SK海力士等对手；其主打通用型DRAM（如DDR5），受益于AI服务器优先供应导致的消费级产品缺货涨价，营收与自由现金流大幅增长，市值跃居中国第一。
文章聚焦DRAM技术演进趋势，指出传统二维微缩已逼近物理极限，3D DRAM成为全球巨头竞争焦点；三星、SK海力士推进4F²垂直晶体管与VS-CAT堆叠架构，美光专利领先但量产滞后；北方华创等国产设备厂商在高深宽比刻蚀、混合键合等关键工艺取得突破，推动国产DRAM向3D自主量产迈进。
高盛维持美光科技中性评级，目标价1100美元，预计本季度营收519亿美元、毛利率87.3%、每股收益32.54美元，均高于市场共识；重点聚焦战略客户协议、资本回报计划（尤其CHIPS法案限制解除后的股票回购）及HBM4产品进展与市场份额竞争。
2026年第二季度，长鑫存储息税前利润率高达82%，超越三星和SK海力士成为全球盈利最高的存储芯片厂商；其DRAM市场份额升至10%，营收同比暴涨近10倍，主要受益于AI驱动的DRAM需求激增、供应趋紧及价格大幅上涨，同时加速产能扩张并深化头部客户合作。
7月全球半导体销售额同比大增131%，主要由存储器价格飙升452%驱动，贡献近七成增量；剔除存储器后行业仍增长35%，显示非存储领域需求健康；地区表现分化明显，中国环比下滑28%，主因存储器价格波动；出货量基本持平，ASP同比涨98.8%，印证价格主导增长特征。
长鑫存储凭借巨头转向HBM高端内存导致的常规DRAM产能缺口，迅速提升市场份额至10%，依托满产扩产、国内云厂商长期订单及全球化出货渠道实现爆发式增长；但面临2028年窗口期关闭、价格回落及能否跨越15%行业安全线的重大考验。
